广东省科学院半导体研究所
您当前的位置:首页 > 联系我们
TEL:020-61086422
邮 箱:512480780@qq.com 手 机:15018420573 地 址:广东省-广州市-天河区长兴路363号
推荐资讯
广州GaN材料刻蚀平台 广东省科学院半导体研究所供应
完整的材料刻蚀流程往往不止刻蚀本身,还涉及前后道配套工序的衔接。以等离子去胶为例,真空状态下等离子体作用于材料表面,可实现表面亲水性、拒水性、低摩擦、高度清洁、蚀刻等多种表面改性,在半导体工艺中主要用于光刻胶底膜的去除;设备射频功
广州MEMS材料刻蚀加工平台 广东省科学院半导体研究所供应
氮化镓材料硬度高、化学稳定性强,其超表面材料刻蚀对工艺设计提出了较高要求,刻蚀深度与面垂直度的控制直接关系结构的功能表现。制定GaN超表面刻蚀方案时,需要结合材料特性选择刻蚀气体与功率条件,兼顾刻蚀速率与侧壁形貌,避免结构缺陷和尺
免责声明: 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息,均来源于其对应的商铺,信息的真实性、准确性和合法性由该信息的来源商铺所属企业完全负责。本站对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题,请及时与本网联系,我们将核实后进行删除,本网站对此声明具有最终解释权。
友情提醒: 建议您在购买相关产品前务必确认资质及产品质量,过低的价格有可能是虚假信息,请谨慎对待,谨防上当受骗。