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CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---
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晶体管结构及类型用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。结构如图(a)所示，位于中间的P区称为基区，它很薄且杂质浓度很低；位于上层的N区是发射区，掺杂浓度很高；位于下层的N区是集电区，面
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我们在上面的NPN晶体管中讨论过，它也处于有源模式.大多数电荷载流子是用于p型发射极的孔.对于这些孔，基极发射极结将被正向偏置并朝基极区域移动.这导致发射极电流Ie.基极区很薄，被电子轻掺杂，形成了电子-空穴的结合，并且一些空穴保
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半导体三极管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作用，应用十分常见.输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电
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2015年，北美占据了FinFET市场的大多数份额。2016到2022年，亚太区市场将以年复合增长率比较高的速度扩大。一些亚太地区的国家是主要的制造中心，将为的FinFET技术的发展提供充足机会。智能手机和自动汽车对于高性能CPU
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